Ибратжон Алиев – Все науки. №10, 2024. Международный научный журнал (страница 3)
Подстановка полученных значений независимых переменных приводит к переходу ранее выведенных форм общих функций (33) к результирующей форме в (36).
Каждая функция может быть смоделирована в трёхмерной форме, как это было сформулировано в предыдущих случаях, представляется в двух известных масштабах относительно переменных x, y – относительно 10—2, 10—3 (Рис. 14—16) и 10—5, 10—6 (Рис. 17—19).
Рис. 14. Первое представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—2 и 10—3 единицы x, y
Рис. 15. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—2 и 10—3 единицы x, y
Рис. 16. Третье представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—2 и 10—3 единицы x, y
Рис. 17. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—5 и 10—6 единицы x, y
Рис. 18. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—5 и 10—6 единицы x, y
Рис. 19. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—5 и 10—6 единицы x, y
В результате смоделированных трёхмерных графиков можно наглядно проследить, что каждый из графиков гладкий и простейший, в отличие от предыдущих двух примеров, где участвовали легированные соединения теллурида кадмия и оксида кремния. В данном случае смоделирован кристаллический чистый кремний, что позволяет получать указанные графики, коррелирующие с действительностью.
Выводы
Исходя из полученных результатов, были сформулированы 3 отдельно взятые модели по теллуриду кадмия, оксиду кремния и кристаллическому кремнию, при этом в каждом из случаев функции представлены в трёхмерном пространстве. Фактически, было бы логичным расположить каждую из функций друг за другом, создав одну единую модель полупроводникового элемента.
Так, в виде максимально дискретно представленного графика, моделирующий весь полупроводниковый элемент может быть представлен сборник всех на данный момент полученных трёхмерных графиков в различных комбинациях, что также соответствует различным комбинациям расположения слоёв полупроводникового элемента. При этом каждая из комбинаций может быть представлена посредством отдельных выборок, где отдельная роль отводиться 2 измерениям, а третья изменяется, соответствуя общей выборке в Табл. 2—4.
Таблица 1. Первая формулировка комплектов графиков
Таблица 2. Вторая формулировка комплектов графиков
Таблица 3. Вторая формулировка комплектов графиков
При этом каждая таблица может быть представлена в 2 масштабах 10—2, 10—3 в Рис. 20—22, при том же равная по виду с масштабов по 10—5 и 10—6.
Рис. 20. Первая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10—2 и 10—3
Рис. 21. Вторая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10—2 и 10—3
Рис. 22. Третья форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10—2 и 10—3
В результате была получена дискретная общая форма организованного полупроводникового элемента, однако при организованном эмпирическом расчёте полученная вариация может быть представлена согласно детектируемым показателям. Так, зависимости спектрального характера при взаимодействии с внешним коронным разрядом показывают изменение Рис. 24, когда же изменение высоты в масштабе потенциального барьера, необходимого для преодоления электронами могут быть представлены согласно Рис. 23.
Рис. 23. Рост потенциального барьера электронов с наличие стороннего источника потенциального поля
Рис. 24. Спектральный характер взаимодействия под действием стороннего электростатического поля
Каждый из полученных результатов на данный момент является важным и актуальным элементом исследования, который наглядно подтверждается согласно степени корреляции с полученными теоретическими данными в рамках постановки граничных условий для выведенного уравнения электропроводности.
Заключение
В результате исследования был представлен алгоритм моделирования, позволяющий описать явления класса электропроводности, под действием стороннего поля. В том числе большое внимание было уделено непосредственной стадии моделирования в статичной форме полупроводниковому элементу типа n-p-n, состоящий из теллурида кадмия, оксида кремния и кристаллического кремния. Дальнейшие работы в настоящем направлении являются также актуальными, наряду с последующим сведением в аналитический вид комплексной сборки элементов и их комбинаций, участвующие в сборке исследованного в настоящей работе полупроводникового элемента.
Использованная литература
1. Deng, Z., Li, K., Priimagi, A. et al. Light-steerable locomotion using zero-elastic-energy modes. Nat. Mater. (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-02026-4
2. Lee, KJ., Cros, V. & Lee, HW. Electric-field-induced orbital angular momentum in metals. Nat. Mater. 23, 1302—1304 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01978-x
3. Lin, X., Zhang, S., Yang, M. et al. A family of dual-anion-based sodium superionic conductors for all-solid-state sodium-ion batteries. Nat. Mater. (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-02011-x
4. An approach to identify and synthesize memristive III—V semiconductors. Nat. Mater. 23, 1322—1323 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01991-0
5. Liu, L., Ji, Y., Bianchi, M. et al. A metastable pentagonal 2D material synthesized by symmetry-driven epitaxy. Nat. Mater. 23, 1339—1346 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01987-w
6. Li, Z., Zhai, L., Zhang, Q. et al. 1T′-transition metal dichalcogenide monolayers stabilized on 4H-Au nanowires for ultrasensitive SERS detection. Nat. Mater. 23, 1355—1362 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01860-w
7. Miura, M., Eley, S., Iida, K. et al. Quadrupling the depairing current density in the iron-based superconductor SmFeAsO1—xHx. Nat. Mater. 23, 1370—1378 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01952-7
8. Hackett, L., Koppa, M., Smith, B. et al. Giant electron-mediated phononic nonlinearity in semiconductor—piezoelectric heterostructures. Nat. Mater. 23, 1386—1393 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01882-4
9. Bae, J., Won, J., Kim, T. et al. Cation-eutaxy-enabled III—V-derived van der Waals crystals as memristive semiconductors. Nat. Mater. 23, 1402—1410 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01986-x
10.Wang, X., Pan, C., Xia, N. et al. Fracture-driven power amplification in a hydrogel launcher. Nat. Mater. 23, 1428—1435 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01955-4
11.Figgener, J., van Ouwerkerk, J., Haberschusz, D. et al. Multi-year field measurements of home storage systems and their use in capacity estimation. Nat Energy (2024). https://doi.org/10.1038/s41560-024-01620-9
12.Tregnago, G. Combining photovoltaic elements. Nat Energy 9, 1052 (2024). https://doi.org/10.1038/s41560-024-01647-y
13.Flexible participation of electrosynthesis in dynamic electricity markets. Nat Energy 9, 1062—1063 (2024). https://doi.org/10.1038/s41560-024-01584-w
14.Choo, S., Lee, J., Şişik, B. et al. Geometric design of Cu2Se-based thermoelectric materials for enhancing power generation. Nat Energy 9, 1105—1116 (2024). https://doi.org/10.1038/s41560-024-01589-5
15.Wang, J., Chortos, A. Performance metrics for shape-morphing devices. Nat Rev Mater 9, 738—751 (2024). https://doi.org/10.1038/s41578-024-00714-w
16.Shan, H., Poredoš, P., Chen, Z. et al. Hygroscopic salt-embedded composite materials for sorption-based atmospheric water harvesting. Nat Rev Mater 9, 699—721 (2024). https://doi.org/10.1038/s41578-024-00721-x
17.Parvesh Chander, Alisha Arora, Ankita Singh, Mohit Madaan, Nagendra Prasad Pathak, V.K. Malik. Exploration of room temperature magnetodielectric behavior in Nd0.5Dy0.5FeO3 thin films and transmission line resonators in GHz frequency range. Physica B: Condensed Matter. Volume 694, 1 December 2024, 416431 https://doi.org/10.1016/j.physb.2024.416431
18.Naqash Hussain Malik, Shafaat Hussain Mirza, Sikander Azam, Muhammad Farooq Nasir, Muhammad Jawad, Nargis Bano, Muhammad Zulfiqar. Exploring the impact of hydrostatic pressure on the essential physical properties of BaTiO3 perovskite: A first principles quantum investigation and prospects for optoelectronic and thermoelectric applications. Physica B: Condensed Matter. Volume 694, 1 December 2024, 416430. https://doi.org/10.1016/j.physb.2024.416430
19.Dung Dang Duc, Luong Thi Kim Phuong, Nguyen Huu Lam, Duong Van Thiet, Luong Hong Dang, Nguyen Hoang Thoan, Vu Tien Lam, Duong Quoc Van. Optical, magnetic and electrical properties of new binary MnTiO3-modified Ba (Zr, Ti) O3 materials as solid solution. Physica B: Condensed Matter. Volume 694, 1 December 2024, 416444 https://doi.org/10.1016/j.physb.2024.416444
20.S. Asadi Toularoud, H. Hadipour, H. Rahimpour Soleimani. Engineering the electronic and magnetic properties of monolayer TiS2 through systematic transition-metal doping. Physica B: Condensed Matter. Volume 694, 1 December 2024, 416413.
https://doi.org/10.1016/j.physb.2024.416413
21.Wael M. Mohammed, M.M. El-Desoky, N. Abdllah, Hamdy F.M. Mohamed, E.E. Abdel-Hady, D.E. El Refaay. Relationship between structural, electrical properties and positron annihilation parameters of V2O5—Cu2O—P2O5 glasses. Physica B: Condensed Matter. Volume 694, 1 December 2024, 416459. https://doi.org/10.1016/j.physb.2024.416459