Владимир Ушаков – Радиационные приборы. Эксплуатация (страница 4)

Воздействие на РП больших перепадов атмосферного давления и связанное с этим изменение плотности воздуха проявляется в снижении устойчивости аппаратуры к электрическому пробою, а также ухудшает отвод тепла от сильноточных элементов приборов. Повышенное или пониженное атмосферное давления может привести к деформации, а иногда и к выходу из строя таких элементов, как, например, тонкостенные газоразрядные счетчики. Появление в воздухе твердых частиц пыли и дыма повышает трение в движущихся деталях, изменяет сопротивление изоляции. Загрязненность воздуха химически активными веществами приводит к дефектам в защитных покрытиях приборов.

К большим изменениям может привести повышенная влажность воздуха, из-за которой на поверхности деталей образуется тонкая пленка влаги, заполняющая поры и трещины деталей. Вода хорошо проводит электрический ток, поэтому образование влажной пленки заметно ухудшает изоляционные свойства материалов, понижает их электрическое сопротивление, повышает токи утечки, а в высоковольтных цепях вызывает искрение и пробои. Гигроскопичные вещества (картон, некоторые пластмассы и кристаллы) в условиях повышенной влажности поглощают воду, разбухают и перестают выполнять свои функции в приборе. Как и под действием тепла, меняются параметры конденсаторов, резисторов, катушек индуктивности и трансформаторов, паразитные монтажные емкости и т. п.

Вода – активное химическое вещество, интенсивно вступающее во взаимодействие со многими материалами, образуя водные растворы солей, кислот, щелочей и других химических соединений. При реакциях с химическими веществами, находящимися в воздухе, вода образует среду для интенсивной электролитической диссоциации. Кроме обычной коррозии материалов, из которых изготовлены детали, в приборах из-за неизбежного наличия электрических полей возникает электролитическая коррозия. Пленка воды с растворенными в ней солями и кислотами разрушает сначала поверхностные покрытия, а затем проникает в глубь материалов. Поэтому воздействие на приборы загрязненного влажного воздуха создает условия для особенно быстрого их разрушения.

Для уменьшения влияния данных факторов производится герметизация внутренних объемов приборов, между разъемными частями устанавливаются уплотняющие резиновые прокладки, внутренние полости заливаются специальными составами (компаундами), наружные поверхности покрываются лаками и пленками металлов. Иногда во внутренние полости вводятся патроны с влагопоглотителем (например, на основе силикагеля).

Воздействию микроорганизмов, грибков, плесени в наибольшей степени подвержены детали, изготовленные из органических материалов. Сильное загрязнение ими деталей приводит к ухудшению изоляции; длительное воздействие может привести к разрушению материалов.

Механические воздействия, например вибрации и удары, вызывают в конструкции динамические нагрузки, напряжения и деформации. В результате этого теряется жесткость сопряжения деталей, ослабляется их крепление, возможно разрушение. Особенно опасны случаи, когда резонансная частота колебаний какой-либо части или прибора в целом находится в пределах спектра частот воздействующих сил: при этом перегрузки могут возрастать в десятки раз.

Электрические и магнитные поля сильнее всего воздействуют на элементы приборов, имеющих электронную фокусировку (например, на ФЭУ, дисплеи, осциллографические трубки), а также на стрелочные электромагнитные приборы. Под действием этих полей в цепях прибора могут возникать помехи и наводки, приводящие к сбою в работе, выдаче ложных сигналов и т. п.

Воздействие на приборы ИИ проявляется в изменении свойств материалов, в том числе материалов, из которых изготовляются элементы электроники. Наиболее уязвимы к действию радиации полупроводниковые элементы (транзисторы, интегральные схемы, микропроцессоры и др.), параметры которых очень критичны к небольшим изменениям в структуре или составе полупроводниковых материалов. Сильнее всего на работу полупроводниковых приборов влияет нейтронное излучение, обладающее высокой проникающей и ионизирующей способностью. При соударении нейтронов с атомами кристаллической решетки полупроводника атомы смещаются, образуются новые центры рекомбинации носителей тока, что отрицательно сказывается на общих процессах формирования и переноса электрических зарядов. Величина тока уменьшается, параметры приборов ухудшаются и тем заметнее, чем больше поглощенная доза ИИ. При определенной дозе происходит полная утрата работоспособности прибора, потеря его радиационной стойкости.

Конец ознакомительного фрагмента.

Текст предоставлен ООО «Литрес».

Прочитайте эту книгу целиком, купив полную легальную версию на Литрес.

Безопасно оплатить книгу можно банковской картой Visa, MasterCard, Maestro, со счета мобильного телефона, с платежного терминала, в салоне МТС или Связной, через PayPal, WebMoney, Яндекс.Деньги, QIWI Кошелек, бонусными картами или другим удобным Вам способом.