Салим Отажонов – Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография (страница 3)
при подсветке с
Сверх-линейность ЛАХ при малых уровнях возбуждения показывает, что в этой области дрейфовые барьеры уменьшаются быстрее по сравнению с рекомбинационными барьерами, особенно это проявляется в случае перпендикулярной ФП. С увеличением интенсивности света ЛАХ переходит от сверх-линейности к линейности и сублинейности. В этом случае влияние дрейфовых барьеров исчезает и поэтому ЛАХ в обоих направлениях практически совпадают.
Различие коэффициентов ЛАХ при малых уровнях возбуждения особенно при освещении квантами света hν=1,1÷1,2 эВ, когда генерируется электроны из уровня
Отметим также еще одну особенность спектрального распределения ФП. Нарастание ФП происходит более резко, чем возрастает коэффициент поглощения (см. например рис. 2 и 7). Это показывает, что ФП определяется не только скоростью генерации носителей, но и временем жизни. Достаточно резкое его повышение (при возрастании поглощении света на 1—2 порядка ФП растет на 3—4 порядка) показывает на возможное влияние рекомбинационных барьеров.
Таким образом, изучая ЛАХ, спектры ФП и
§4. Примесный АФН-эффект. Спектральное распределение фото- ЭДС в Тонких пленках
Теперь приступаем к рассмотрению спектра фото-ЭДС и тока короткого замыкания. Как следует из анализа спектра поглощения (§1) и спектра фотопроводимости (§3) легированных серебром Тонких пленок CdTe, что последние обнаруживают существенное примесное поглощение и обладают примесной фотопроводимостью. Возникает нетривиальный естественный вопрос не возникают высоковольтный фото-ЭДС, т. е. АФН в примесной области поглощения в этих пленках. До настоящего времени практически во всех работах [1—10], посвященных исследованию АФН эффекта, утверждалось, что этот эффект вызывается светом из области собственного поглощения [2]. Наличие локальных уровней учитывалось как компенсирующие центры или как центры, определяющие время жизни носителей заряда, и обычно рассматривалась их роль в определении свойств кристаллита, а фото-возбуждением носителей заряда из них пренебрегалось.
Результат измерения спектра фотонапряжения Тонких пленок CdTe, полученного из работы [2] представлен на рис. 10. Как видно из этих рисунка, действительно, авторам удалось наблюдать АФН-эффект лишь в области собственного поглощения.
Как видно из кривой 2 рис. 6, начиная с энергии кванта возбуждающего света эВ фотопроводимость при полярности внешнего приложенного поля
Конец ознакомительного фрагмента.
Текст предоставлен ООО «ЛитРес».
Прочитайте эту книгу целиком, купив полную легальную версию на ЛитРес.
Безопасно оплатить книгу можно банковской картой Visa, MasterCard, Maestro, со счета мобильного телефона, с платежного терминала, в салоне МТС или Связной, через PayPal, WebMoney, Яндекс.Деньги, QIWI Кошелек, бонусными картами или другим удобным Вам способом.